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C2M0040120D參數(shù)如下：
產(chǎn)品屬性
屬性值
搜索類似
制造商:
Cree, Inc.
 
產(chǎn)品種類:
MOSFET
 
RoHS:
 詳細(xì)信息
 
技術(shù):
SiC
 
安裝風(fēng)格:
Through Hole
 
封裝 / 箱體:
TO-247-3
 
通道數(shù)量:
1 Channel
 
晶體管 性:
N-Channel
 
Vds-漏源 擊穿電壓:
1200 V
 
Id-連續(xù)漏 電流:
60 A
 
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:
40 mOhms
 
Vgs - 柵 -源 電壓:
- 5 V, 20 V
 
Vgs th-柵源 閾值電壓:
4 V
 
Qg-柵 電荷:
115 nC
 
小工作溫度:
- 55 C
 
大工作溫度:
+ 150 C
 
Pd-功率耗散:
330 W
 
配置:
Single
 
通道模式:
Enhancement
 
封裝:
Tube
 
高度:
21.1 mm
 
長(zhǎng)度:
5.21 mm
 
產(chǎn)品:
Power MOSFETs
 
晶體管類型:
1 N-Channel
 
類型:
Silicon Carbide Power MOSFET
 
寬度:
16.13 mm
 
商標(biāo):
Wolfspeed / Cree
 
正向跨導(dǎo) - 小值:
13.2 S
 
下降時(shí)間:
34.4 ns
 
產(chǎn)品類型:
MOSFET
 
上升時(shí)間:
52 ns
 
工廠包裝數(shù)量:
30
 
子類別:
MOSFETs
 
典型關(guān)閉延遲時(shí)間:
26.4 ns
 
典型接通延遲時(shí)間:
14.8 ns
 
單位重量:
38 g
 

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